LGE350N04 SOT23 LGE
Symbol Micros:
TLGE350N04
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 60mOhm; 6,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: YJL05N04A; YJL05N04A-F2-0000HF; SI2318A-TP;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,3A |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: LGE
Symbol producenta: LGE350N04 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6490 | 0,3080 | 0,1730 | 0,1320 | 0,1180 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,3A |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |