MBT3904DW1T1G ON Semiconductor
Symbol Micros:
TMBT3904dw1t1g
Obudowa: SC-88
Tranzystor 2xNPN; 300; 150mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 150mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Obudowa: | SC-88 |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
| Moc strat: | 150mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Obudowa: | SC-88 |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xNPN |
Odpowiedniki
MBT3904DW1T1G SOT363 FUXINSEMI
40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS LRC LMBT3904DW1T1G;
Producent:
FUXINSEMI
Symbol producenta:
MBT3904DW1T1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3540 | 0,1390 | 0,0814 | 0,0595 | 0,0544 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)