MBT3904DW1T1G ON Semiconductor

Name: TMBT3904dw1t1g TMBT3904dw1t1g
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TMBT3904dw1t1g
Price: 0.105000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TMBT3904dw1t1g

Obudowa: SC-88

Tranzystor 2xNPN; 300; 150mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;

Parametry

Moc strat:	150mW
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Obudowa:	SC-88
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	300
Częstotliwość graniczna:	300MHz
Maksymalny prąd kolektora:	200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	40V

Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MBT3904DW1T1G RoHS Obudowa dokładna: SC-88 t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

2900 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,5690	0,2610	0,1420	0,1060	0,0949

Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MBT3904DW1T1G RoHS MA. Obudowa dokładna: SC-88 t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

0 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,5690	0,2610	0,1420	0,1060	0,0949

Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MBT3904DW1T1G RoHS Obudowa dokładna: SC-88 t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

25 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,5690	0,2610	0,1420	0,1060	0,0949

Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MBT3904DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88

Magazyn zewnętrzny:

207000 szt.

ilość szt.	9000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN)	0,0949

Moc strat:	150mW
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Obudowa:	SC-88
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	300
Częstotliwość graniczna:	300MHz
Maksymalny prąd kolektora:	200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	40V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Typ tranzystora:	2xNPN

Ilość szt.	10+	50+	200+	1000+	3000+
cena netto (PLN)	0,3540	0,1390	0,0814	0,0595	0,0544