MBT3906DW1T1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TMBT3906dw1t1g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-88
Tranzystor 2xPNP; 300; 150mW; 40V; 200mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 150mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MBT3906DW1T1G A2. RoHS Obudowa dokładna: SC-88 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2890 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5130 0,2350 0,1280 0,0958 0,0855
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MBT3906DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88  
Magazyn zewnetrzny:
198000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0855
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MBT3906DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88  
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0855
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MBT3906DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88  
Magazyn zewnetrzny:
99000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0855
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 150mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xPNP