MBT3906DW1T1G ONSemiconductor
Symbol Micros:
TMBT3906dw1t1g
Obudowa: SC-88
Tranzystor 2xPNP; 300; 150mW; 40V; 200mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 150mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Obudowa: | SC-88 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MBT3906DW1T1G A2. RoHS
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2890 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5130 | 0,2350 | 0,1280 | 0,0958 | 0,0855 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MBT3906DW1T1G
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0855 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MBT3906DW1T1G
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0855 |
| Moc strat: | 150mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Obudowa: | SC-88 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xPNP |