MBT3946DW1T1G ON Semiconductor
Symbol Micros:
TMBT3946dw1t1g
Obudowa: SC-88
Tranzystor NPN/PNP; 300; 150mW; 40V; 200mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 150mW |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Obudowa: | SC-88 |
Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MBT3946DW1T1G RoHS
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
230 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,6000 | 0,2840 | 0,1590 | 0,1200 | 0,1090 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MBT3946DW1T1G
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1090 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MBT3946DW1T1G
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1090 |
Moc strat: | 150mW |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Obudowa: | SC-88 |
Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN/PNP |