MJ11032G
Symbol Micros:
TMJ11032
Obudowa: TO 3
Tranzystor NPN; 18000; 300W; 120V; 50A; -55°C ~ 200°C;
Parametry
Moc strat: | 300W |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 18000 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | TO 3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 50A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 120V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 200°C |
Moc strat: | 300W |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 18000 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | TO 3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 50A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 120V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 200°C |
Typ tranzystora: | NPN |