MJ11032G

Symbol Micros: TMJ11032
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3
Tranzystor NPN; 18000; 300W; 120V; 50A; -55°C ~ 200°C;
Parametry
Moc strat: 300W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 18000
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 50A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 120V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 200°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJ11032G RoHS Obudowa dokładna: TO 3 karta katalogowa
Stan magazynowy:
2 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 20+ 40+
cena netto (PLN) 73,9500 64,2800 58,0000 55,6800 53,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Moc strat: 300W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 18000
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 50A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 120V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 200°C
Typ tranzystora: NPN