MJ15003G

Symbol Micros: TMJ15003 ons
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 150; 250W; 140V; 20A; 2MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ15003G; MJ15003;
Parametry
Moc strat: 250W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 150
Obudowa: TO 3
Częstotliwość graniczna: 2MHz
Maksymalny prąd kolektora: 20A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 140V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJ15003G RoHS Obudowa dokładna: TO 3 karta katalogowa
Stan magazynowy:
58 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 30,8500 28,9800 27,8100 27,2100 26,8300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: import Symbol producenta: MJ15003G Obudowa dokładna: TO 3  
Magazyn zewnetrzny:
7 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 30,6230
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 150
Obudowa: TO 3
Częstotliwość graniczna: 2MHz
Maksymalny prąd kolektora: 20A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 140V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 200°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta