MJ15022

Symbol Micros: TMJ15022 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3
Tranzystor NPN; 60; 250W; 200V; 16A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; China
Parametry
Moc strat: 250W
Producent: Inchange Semiconductors
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 16A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 200V
Producent: import Symbol producenta: MJ15022 RoHS Obudowa dokładna: TO 3  
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 10,0500 7,9800 6,9500 6,8200 6,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Moc strat: 250W
Producent: Inchange Semiconductors
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 16A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 200V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 200°C
Typ tranzystora: NPN