MJ21196G
Symbol Micros:
TMJ21196
Obudowa: TO 3
Tranzystor NPN; 75; 250W; 250V; 16A; 4MHz; -65°C ~ 200°C;
Parametry
| Moc strat: | 250W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO 3 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 75 |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 16A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 250V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: MJ21196G
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnętrzny:
100 szt.
| ilość szt. | 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 18,5960 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: MJ21196G
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnętrzny:
150 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 26,9928 |
| Moc strat: | 250W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO 3 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 75 |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 16A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 250V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 200°C |
| Typ tranzystora: | NPN |