MJD122T4 DPAK ONS

Symbol Micros: TMJD122t4
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPAK)
Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 12000; 1,75W; 100V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122G (20W) Tube; MJD122T4G (1.75W) (T&R); MJD122T4; MJD122TF; MJE122-TP; MJD122GT4G;
Parametry
Moc strat: 1,75W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO252 (DPACK)
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 12000
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MJD122T4G RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2230 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1900 1,7200 1,5700 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MJD122G Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Magazyn zewnętrzny:
807 szt.
ilość szt. 300+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,7925
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MJD122G Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Magazyn zewnętrzny:
2362 szt.
ilość szt. 900+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,7689
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 1,75W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO252 (DPACK)
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 12000
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta