MJD122T4 DPAK ONS
Symbol Micros:
TMJD122t4
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor NPN; 12000; 1,75W; 100V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122G (20W) Tube; MJD122T4G (1.75W) (T&R); MJD122T4; MJD122TF; MJE122-TP; MJD122GT4G;
Parametry
| Moc strat: | 1,75W |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 12000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJD122T4G
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
65000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4768 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJD122T4G
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3980 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJD122T4G
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2165 |
| Moc strat: | 1,75W |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 12000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |