MJD127

Symbol Micros: TMJD127
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor PNP; 12000; 1,75W; 100V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD127G; MJD127TF; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127-LGE; TIP127TE(=MJD127);
Parametry
Moc strat: 1,75W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 12000
Obudowa: TO252
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: MJD127T4 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) t/r  
Stan magazynowy:
2500 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8100 0,9950 0,7830 0,7250 0,6950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Producent: ST Symbol producenta: MJD127T4 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r  
Stan magazynowy:
890 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8100 0,9950 0,7830 0,7250 0,6950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Moc strat: 1,75W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 12000
Obudowa: TO252
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP