MJD127
Symbol Micros:
TMJD127
Obudowa: TO252
Tranzystor PNP; 12000; 1,75W; 100V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD127G; MJD127TF; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127-LGE; TIP127TE(=MJD127);
Parametry
| Moc strat: | 1,75W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 12000 |
| Obudowa: | TO252 |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: ST
Symbol producenta: MJD127T4 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) t/r
Stan magazynowy:
2500 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8100 | 0,9950 | 0,7830 | 0,7250 | 0,6950 |
Producent: ST
Symbol producenta: MJD127T4 RoHS
Obudowa dokładna: TO252t/r
Stan magazynowy:
890 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8100 | 0,9950 | 0,7830 | 0,7250 | 0,6950 |
| Moc strat: | 1,75W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 12000 |
| Obudowa: | TO252 |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |