MJD31C CDIL

Symbol Micros: TMJD31c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor NPN; 50; 1,25W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31C-13; MJD31C1G;
Parametry
Moc strat: 1,25W
Producent: LGE
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Obudowa: TO252
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: LGE Symbol producenta: MJD31C RoHS Obudowa dokładna: TO252 karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,5300 0,8510 0,6710 0,6100 0,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Moc strat: 1,25W
Producent: LGE
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Obudowa: TO252
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN