MJD32CG

Symbol Micros: TMJD32c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD32CT4G; MJD32C-13; MJD32C-TP; MJD32CQ-13; MJD32CRLG; MJD32CTF; MJD32CTM; MJD32RLG; MJD32T4G;
Parametry
Moc strat: 1,56W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Obudowa: TO252
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MJD32CG Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnętrzny:
6023 szt.
ilość szt. 1350+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,1140
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MJD32CT4G Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnętrzny:
12500 szt.
ilość szt. 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,8833
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 1,56W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Obudowa: TO252
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta