MJD45H11G

Symbol Micros: TMJD45h11
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM;
Parametry
Moc strat: 1,75W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO252 (DPACK)
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 90MHz
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJD45H11G RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
315 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 4,8300 3,2000 2,6400 2,4100 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJD45H11RLG Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
3600 szt.
ilość szt. 1800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJD45H11RLG Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
19800 szt.
ilość szt. 1800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJD45H11G Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
2058 szt.
ilość szt. 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 1,75W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO252 (DPACK)
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 90MHz
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP