MJD45H11T4
Symbol Micros:
TMJD45h11t4
Obudowa: DPAK
Tranzystor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD45H11T4G;
Parametry
| Moc strat: | 1,75W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Obudowa: | DPAK |
| Częstotliwość graniczna: | 90MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: MJD45H11T4G RoHS
Obudowa dokładna: DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1280 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2400 | 1,3600 | 1,0400 | 0,9410 | 0,8950 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: MJD45H11T4G
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnętrzny:
710000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8950 |
| Moc strat: | 1,75W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Obudowa: | DPAK |
| Częstotliwość graniczna: | 90MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |