MJD50

Symbol Micros: TMJD50
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor NPN; 150; 1,56W; 400V; 1A; 10MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD50G; MJD50T4G; MJD50TF;
Parametry
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Moc strat: 1,56W
Częstotliwość graniczna: 10MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 150
Obudowa: TO252 (DPACK)
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 400V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJD50T4G Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0278
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJD50G Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
750 szt.
ilość szt. 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3704
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Moc strat: 1,56W
Częstotliwość graniczna: 10MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 150
Obudowa: TO252 (DPACK)
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 400V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN