FJP13009
Symbol Micros:
TMJE13009 fai
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 28; 100W; 400V; 12A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: (t&r) FJP13009H2TU; (rail) FJP13009TU;
Parametry
| Moc strat: | 100W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 28 |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 12A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 400V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FJP13009H2TU RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
119 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,1900 | 5,3300 | 4,4400 | 4,2900 | 4,2300 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FJP13009H2TU
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2300 |
| Moc strat: | 100W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 28 |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 12A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 400V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |