MJE15031G TO220 ONS
Symbol Micros:
TMJE15031 ons
Obudowa: TO220
Tranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 2W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 40 |
| Obudowa: | TO220 |
| Częstotliwość graniczna: | 30MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 150V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE15031G RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 250+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,7300 | 4,6900 | 3,9800 | 3,7400 | 3,5400 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE15031G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1275 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5400 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE15031G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1300 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5400 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE15031G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
11250 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5400 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE15031G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
950 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5400 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE15031G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5400 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE15031G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
150 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8259 |
| Moc strat: | 2W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 40 |
| Obudowa: | TO220 |
| Częstotliwość graniczna: | 30MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 150V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |