MJE18008 TO220AB
Symbol Micros:
TMJE18008
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 34; 125W; 450V; 8A; 13MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE18008G;
Parametry
| Moc strat: | 125W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 34 |
| Obudowa: | TO220 |
| Częstotliwość graniczna: | 13MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 450V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE18008G RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,6000 | 6,0600 | 5,1900 | 4,6600 | 4,4700 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE18008G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
400 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,4805 |
| Moc strat: | 125W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 34 |
| Obudowa: | TO220 |
| Częstotliwość graniczna: | 13MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 450V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |