MMBF170 LGE
Symbol Micros:
TMMBF170 c
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 300mW; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 500mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
Producent: LGE
Symbol producenta: MMBF170 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6160 | 0,2930 | 0,1650 | 0,1250 | 0,1120 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 500mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |