MMBF5103

Symbol Micros: TMMBF5103
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel JFET; 40V; 40V; 350mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-bramka: 40V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-JFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MMBF5103 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r  
Stan magazynowy:
155 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1600 0,7390 0,5180 0,4500 0,4210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MMBF5103 Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
99000 szt.
ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,4210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MMBF5103 Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
8100 szt.
ilość szt. 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,5619
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-bramka: 40V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-JFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD