MMBF5485

Symbol Micros: TMMBF5485
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
N-Channel RF Amplifier 25V 10mA Vgsoff -0,5...-4,0V
Parametry
Maksymalny prąd drenu: 10mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MMBF5485 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 800+
cena netto (PLN) 1,2000 0,7620 0,5330 0,4630 0,4350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Maksymalny prąd drenu: 10mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD