MMBFJ108
Symbol Micros:
TMMBFJ108
Obudowa: SOT23
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ONSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 25V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 24V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: MMBFJ108
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5909 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ONSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 25V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 24V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |