MMBFJ177
Symbol Micros:
TMMBFJ177
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 300Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 20mA |
Maksymalna tracona moc: | 225mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | P-JFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBFJ177LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
5597 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,6200 | 0,8940 | 0,7030 | 0,6510 | 0,6240 |
Rezystancja otwartego kanału: | 300Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 20mA |
Maksymalna tracona moc: | 225mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | P-JFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |