MMBFJ201
Symbol Micros:
TMMBFJ201
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-JFET; 40V; 40V; 1mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Maksymalny prąd drenu: | 1mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-JFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 40V |
| Maksymalny prąd drenu: | 1mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-JFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 40V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |