MMBFJ201
Symbol Micros:
TMMBFJ201
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-JFET; 40V; 40V; 1mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Maksymalny prąd drenu: | 1mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-JFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 40V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBFJ201 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2930 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3100 | 0,7230 | 0,5690 | 0,5270 | 0,5050 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBFJ201
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
117000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5050 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBFJ201
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5050 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBFJ201
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5050 |
| Maksymalny prąd drenu: | 1mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-JFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 40V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |