MMBFJ201

Symbol Micros: TMMBFJ201
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-JFET; 40V; 40V; 1mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Maksymalny prąd drenu: 1mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-JFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 40V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MMBFJ201 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2925 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3100 0,7230 0,5690 0,5270 0,5050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Maksymalny prąd drenu: 1mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-JFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta