MMBT2222LT1G

Symbol Micros: TMMBT2222
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 300; 300mW; 30V; 600mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23-3
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MMBT2222LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3900 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4190 0,1650 0,0964 0,0705 0,0644
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23-3
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta