Tranzystor bipolarny MMBT2222 1B WEJ  

Symbol Micros: TMMBT2222 1B WEJ
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 200; 300mW; 150V; 600mA; 100MHz SOT23; WEJ;
Parametry
Producent: WEJ
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 150V
Producent: WEJ Symbol producenta: MMBT2222 1B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
15000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1680 0,0613 0,0324 0,0242 0,0224
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000
Producent: WEJ
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 150V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP