MMBT2222A SOT23 NEXPERIA

Symbol Micros: TMMBT2222a NXP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 300; 250mW; 40V; 600mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C Odpowiednik: MMBT2222A,215;
Parametry
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: NXP Symbol producenta: MMBT2222A,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5660 0,2600 0,1410 0,1060 0,0944
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN