MMBT2222AWT1G
Symbol Micros:
TMMBT2222awt
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 300; 150mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT2222AWT3G;
Parametry
Moc strat: | 150mW |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Obudowa: | SOT323 |
Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2222AWT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4825 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4540 | 0,2080 | 0,1130 | 0,0847 | 0,0756 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2222AWT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0756 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2222AWT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0756 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2222AWT3G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0756 |
Moc strat: | 150mW |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Obudowa: | SOT323 |
Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |