MMBT2369LT1G

Symbol Micros: TMMBT2369
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 120; 300mW; 15V; 200mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 120
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 15V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MMBT2369LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,4860 0,1860 0,1050 0,0865 0,0810
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 120
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 15V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta