MMBT3904LT1G ONS

Symbol Micros: TMMBT3904lt
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 300; 300mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMBT3904,215; MMBT3904LT3G; MMBT3904LT1G; MMBT3904SL; MMBT3904LT1G-RP100;
Parametry
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT3904LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
14300 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3900 0,1540 0,0898 0,0657 0,0600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN