MMBT3904TT1G

Symbol Micros: TMMBT3904tt
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT416 =(SC-75-3)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 300; 300mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT416 =(SC-75-3)
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MMBT3904TT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT416 =(SC-75-3) karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3240 0,1250 0,0609 0,0485 0,0463
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT416 =(SC-75-3)
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta