MMBT3906,215

Symbol Micros: TMMBT3906
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 300; 250mW; 40V; 200mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; MMBT3906,215;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: NXP Symbol producenta: MMBT3906 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1738 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6050 0,2870 0,1620 0,1230 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP