MMBT3906LT1G

Symbol Micros: TMMBT3906lt
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 300; 300mW; 40V; 200mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3906-FAI; MMBT3906-DIO; MMBT3906-7-F; MMBT3906LT1G; MMBT3906-13-F; MMBT3906,215; MMBT3906 RFG; MMBT3906LT3G; MMBT3906-DIO; MMBT3906LT1G; MMBT3906T1G;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT3906LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
39988 szt.
ilość szt. 50+ 400+ 3000+ 6000+ 30000+
cena netto (PLN) 0,0783 0,0220 0,0121 0,0110 0,0101
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/30000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT3906LT3G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
90000 szt.
ilość szt. 20000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0309
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT3906LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
594000 szt.
ilość szt. 18000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0309
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP
Opis szczegółowy

Tranzystor PNP BJT MMBT3906 SOT-23

Tranzystor MMBT3906 to klasyczny i powszechnie stosowany tranzystor bipolarny ze złączem (BJT) w konfiguracji PNP. Jest on niezastąpiony w układach, które wymagają uniwersalnego komponentu zarówno do przełączania, jak i wzmacniania małych sygnałów przy niskim poborze mocy. Dostarczany w kompaktowej obudowie SMD SOT-23, stanowi standardowe rozwiązanie dla miniaturowej elektroniki cyfrowej i analogowej.

Kluczowe cechy i specyfikacja tranzystora MMBT3906

Tranzystor MMBT3906 jest ceniony za swoje stabilne parametry pracy i wysoką częstotliwość graniczną, co czyni go idealnym do zastosowań wymagających szybkiego przełączania. Jako tranzystor PNP, świetnie sprawdza się w obwodach o niskim poziomie napięcia.

Najważniejszymi parametrami technicznymi tranzystora MMBT3906 są:

  • Typ tranzystora: Bipolarny ze złączem (BJT) w konfiguracji PNP
  • Napięcie kolektor-emiter maksymalne (VCEO): 40 V
  • Prąd kolektora ciągły (IC): 200 mA
  • Wzmocnienie prądowe (hFE): wysokie, zapewniające efektywne wzmacnianie sygnałów
  • Częstotliwość graniczna (fT): wysoka (zazwyczaj powyżej 250 MHz)
  • Obudowa: SOT-23 (SMD)

Ten zestaw parametrów, a zwłaszcza wysoka wartość hFE, sprawia, że tranzystor MMBT3906 jest niezastąpiony w aplikacjach wymagających precyzyjnego sterowania i wzmocnienia sygnałów.

Typowe zastosowania tranzystora PNP MMBT3906

Dzięki swojej uniwersalności i wysokiej niezawodności, tranzystor BJT MMBT3906 znajduje zastosowanie w niemal każdym segmencie elektroniki, pełniąc funkcje kluczowe w przetwarzaniu i sterowaniu sygnałem. Z jego obecności korzystają m.in.:

  • obwody cyfrowe i logiczne
  • wzmacniacze małej mocy i sterowniki
  • interfejsy logiczne i tłumacze poziomów napięć
  • sterowanie diodami LED i małymi przekaźnikami
  • sprzęt pomiarowy i telekomunikacyjny

Dzięki swojej sprawdzonej architekturze, ten tranzystor SMD jest chętnie wybierany zarówno do prototypowania, jak i do produkcji seryjnej urządzeń elektronicznych, zapewniając stabilność pracy. Dostępny w ofercie Micros, zapewnia wysoką niezawodność i stabilność parametrów w kluczowych układach przełączających i wzmacniających.

W przypadku pytań technicznych dotyczących integracji i wyboru tego komponentu, skontaktuj się z nami poprzez adres: bok // micros.com.pl.