MMBT3906TT1G
Symbol Micros:
TMMBT3906tt1g
Obudowa: SOT416 =(SC-75-3)
Tranzystor PNP; 300; 300mW; 40V; 200mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3906T-13-F; MMBT3906T-7-F; MMBT3906T-TP;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Obudowa: | SOT416 =(SC-75-3) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3906TT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT416 =(SC-75-3)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3280 | 0,1260 | 0,0616 | 0,0490 | 0,0468 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3906TT1G
Obudowa dokładna: SOT416 =(SC-75-3)
Magazyn zewnetrzny:
126000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0468 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3906TT1G
Obudowa dokładna: SOT416 =(SC-75-3)
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0468 |
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Obudowa: | SOT416 =(SC-75-3) |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |