MMBT5088LT1G

Symbol Micros: TMMBT5088l
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 900; 300mW; 30V; 50mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 900
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Maksymalny prąd kolektora: 50mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MMBT5088LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt.
ilość szt. 9000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0810
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 900
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Maksymalny prąd kolektora: 50mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN