MMBT5401

Symbol Micros: TMMBT5401 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; Bipolar; 300; -150V; -5V; 100MHz; -600mA; 350mW; -55°C~150°C; MMBT5401-LGE; MMBT5401-AU_R1_000A1; MMBT5401-YAN; MMBT5401-LGE;
Parametry
Moc strat: 350mW
Producent: YFW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: -600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: -150V
Producent: YFW Symbol producenta: MMBT5401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2860 0,1100 0,0537 0,0427 0,0408
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 350mW
Producent: YFW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: -600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: -150V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP