MMBT5401 SOT23 MDD(MICRODIODE)
Symbol Micros:
TMMBT5401 MDD
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 300; 300mW, 160V; 600mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; MMBT5401-LGE; MMBT5401-AU_R1_000A1; MMBT5401-YAN; MMBT5401-LGE;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | MDD |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 160V |
Producent: MDD(Microdiode Electronics)
Symbol producenta: MMBT5401 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2090 | 0,0781 | 0,0418 | 0,0312 | 0,0288 |
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | MDD |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 160V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |