MMBT5551LT1G

Symbol Micros: TMMBT5551 ON
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 160V; 600mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551LT3G; MMBT5551LT1;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 160V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT5551LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
5651 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5200 0,2380 0,1300 0,0970 0,0866
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 160V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta