MMBT5551LT1G
Symbol Micros:
TMMBT5551 ON
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 160V; 600mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551LT3G; MMBT5551LT1;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 160V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-09-07
Ilość szt.: 3000
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 160V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |