MMBTA14LT1G ON Semiconductor

Symbol Micros: TMMBTA14l
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 20000; 300mW; 30V; 300mA; 125MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTE2404; MMBTA14-TP; MMBTA14-7-F; MMBTA14-LGE; MMBTA14;
Parametry
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 20000
Częstotliwość graniczna: 125MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 300mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBTA14LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
820 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4550 0,1790 0,1050 0,0766 0,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 20000
Częstotliwość graniczna: 125MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 300mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN