MMBTA42LT1G

Symbol Micros: TMMBTA42lt1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MMBTA42LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1355 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5700 0,2610 0,1420 0,1060 0,0950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN