MMBTA55

Symbol Micros: TMMBTA55
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 100; 300mW; 60V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA55-7-F; MMBTA55LT1G;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MMBTA55LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4850 0,2220 0,1210 0,0905 0,0808
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta