MMBTA55
Symbol Micros:
TMMBTA55
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 100; 300mW; 60V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA55-7-F; MMBTA55LT1G;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA55LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4850 | 0,2220 | 0,1210 | 0,0905 | 0,0808 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: MMBTA55-7-F
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0833 |
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |