MMBTA64

Symbol Micros: TMMBTA64
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 20000; 300mW; 30V; 500mA; 125MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA64; MMBTA64LT1G; MMBTA64-7-F;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 125MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 20000
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBTA64LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0832
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBTA64LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0781
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBTA64LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0787
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 125MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 20000
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP