MMBTA64
Symbol Micros:
TMMBTA64
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 20000; 300mW; 30V; 500mA; 125MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA64; MMBTA64LT1G; MMBTA64-7-F;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 125MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA64LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0832 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA64LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0781 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBTA64LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0787 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 125MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |