Tranzystor bipolarny MMBTA92 2D WEJ

Symbol Micros: TMMBTA92 2D WEJ
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 200; 350mW; 300V; 300mA; 50MHz SOT23; WEJ;
Parametry
Moc strat: 350mW
Producent: WEJ
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 300mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Producent: WEJ Symbol producenta: MMBTA92 2D RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
15000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3000 0,1160 0,0565 0,0449 0,0429
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000
Moc strat: 350mW
Producent: WEJ
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 300mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN