MMBTRC101SS

Symbol Micros: TMMBTRC101ss
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor: NPN ; 30; 50V ; 100mA ; 200mW; 200MHz; -40°C ~ 85°C; SMD Digital NPN Transistors ; MMBTRC101SS-DIO
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: MMBTRC101SS Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
114000 szt.
ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0577
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 200mW
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN