MMFTN138
Symbol Micros:
TMMFTN138
Obudowa: SOT23
Tranzystor: N-MOSFET ; unipolarny ; 50V ; 0,22A ; 0,36W ; SOT23 MMFTN138-DIO
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
| Maksymalna tracona moc: | 360mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIOTEC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: MMFTN138 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5500 | 0,2610 | 0,1470 | 0,1120 | 0,1000 |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: MMFTN138
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
8800 szt.
| ilość szt. | 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1307 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
| Maksymalna tracona moc: | 360mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIOTEC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |