MMFTN138

Symbol Micros: TMMFTN138
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor: N-MOSFET ; unipolarny ; 50V ; 0,22A ; 0,36W ; SOT23 MMFTN138-DIO
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIOTEC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIOTEC Symbol producenta: MMFTN138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6050 0,2870 0,1620 0,1230 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIOTEC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta