MMSS8550
Symbol Micros:
TMMSS8550
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 350; 625mW; 25V; 1,5A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMSS8550-L-TP (Rank:120-200Hfe); MSS8550-H-TP (Rank:200-350Hfe);
Parametry
| Moc strat: | 625mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 350 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1,5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Moc strat: | 625mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 350 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1,5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |