MMST5551-TP

Symbol Micros: TMMST5551-TP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 250; 200mW; 160V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: Micro Comercial Components Corp.
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 160V
Producent: Micro Commercial Components Corp. Symbol producenta: MMST5551-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8030 0,3810 0,2150 0,1630 0,1460
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: Micro Comercial Components Corp.
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 160V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta