MMUN2111LT1G

Symbol Micros: TMMUN2111lt1g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 60; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMUN2111LT3G;
Parametry
Moc strat: 400mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MMUN2111LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2850 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3310 0,1310 0,0763 0,0558 0,0510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 400mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP