MMUN2211LT1G

Symbol Micros: TMMUN2211lt1g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 60; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMUN2211LT3G;
Parametry
Moc strat: 400mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: MMUN2211LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
205 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4980 0,2280 0,1240 0,0930 0,0830
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 400mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta