MPSA56

Symbol Micros: TMPSA56 DIOTEC
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor: PNP; bipolarny; 80V; 0,5A; 625mW; TO92; PNP Si-Epitaxial Planar-Transistors; MPSA56-DIO;
Parametry
Producent: DIOTEC
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: MPSA56 RoHS Obudowa dokładna: TO92ammoformed  
Stan magazynowy:
374 szt.
ilość szt. 5+ 25+ 121+ 605+ 3025+
cena netto (PLN) 0,5560 0,2390 0,1420 0,1110 0,1010
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
753
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: MPSA56 RoHS Obudowa dokładna: TO92ammoformed  
Stan magazynowy:
11 szt.
ilość szt. 5+ 25+ 121+ 605+ 3025+
cena netto (PLN) 0,5560 0,2390 0,1420 0,1110 0,1010
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
11
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: MPSA56 RoHS Obudowa dokładna: TO92ammoformed  
Stan magazynowy:
115 szt.
ilość szt. 5+ 25+ 121+ 605+ 3025+
cena netto (PLN) 0,5560 0,2390 0,1420 0,1110 0,1010
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
115
Producent: DIOTEC
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Obudowa: TO92
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP